Расписание занятий

Научно-образовательный центр
«Нанотехнологии в лесном комплексе»

<< Назад

Центр коллективного пользования
научным оборудованием
«Плазменные технологии микро- и нанопленок»
(ЦКП ПТМиН)

Создан на базе научно-образовательного центра «Нанотехнологии в лесном комплексе»
Московского государственного университета леса (МГУЛ) в соответствии с приказом ректора № 391 от 27 марта 2009 года.

Местонахождение и почтовый адрес ЦКП: 141005, г. Мытищи, Московская обл., ул. 1-я Институтская, д. 1.
Руководитель ЦКП ПТМиН: д. т. н., профессор Полуэктов Николай Павлович.

Телефон: 8 (498) 687-40-94; 8 (498) 687-35-98
E-mail: polujektovnp@bmstu.ru

В центре работают 3 доктора наук, 2 кандидата наук, аспиранты.

Основными направлениями деятельности является обеспечение на имеющемся оборудовании проведения фундаментальных и прикладных научных исследований, а также оказание услуг исследователям и научным коллективам базовой организации и иным заинтересованным пользователям.

Данные исследования входят в следующие разделы перечня критических технологий Российской Федерации:

  • Технологии создания электронной компонентной базы;
  • Нанотехнологии и наноматериалы.

Услуги центра ЦКП:

  • Нанесение наноразмерных пленок на рельефные структуры с большим аспектным отношением;
  • Рентгеноструктурный анализ пленок;
  • Разработка автоматизированных систем сбора и обработки информации;
  • Разработка методик диагностики плазмы;
  • Разработка вакуумных систем;
  • Обучение и повышение квалификации ИТР.

Перечень научного оборудования, закрепленного за ЦКП ПТМиН для проведения фундаментальных и прикладных научных исследований, а также оказание услуг исследователям и научным коллективам базовой организации и иным заинтересованным пользователям представлен в виде Приложения 1.

Услуги ЦКП могут предоставляться как на возмездной, так и безвозмездной основе.

Проведение ЦКП ПТМиН научных исследований и оказание услуг на возмездной основе заинтересованным пользователям осуществляется на основе договора между организацией-заказчиком и МГУЛ.

Пользователи ЦКП ПТМиН несут полную материальную ответственность за оборудование ЦКП, используемое ими при проведении своих работ.

Ссылки в публикациях на использование оборудования ЦКП ПТМиН должны быть обязательными для всех печатных работ.

Пользователи научным оборудованием частично или в полном объеме оплачивают расходные материалы, необходимые для проведения своих работ, включенных в план ЦКП ПТМиН. Иные компенсации определяются заключенными договорами.

Приложение 1

Перечень научного оборудования, закрепленного за ЦКП ПТМиН

№ п/п Наименование единицы оборудования Назначение прибора
1 Плазмохимическая установка на основе СВЧ-ЭЦР разряда Осаждения и травления пленок
2 Плазменная установка на основе магнетронного разряда с полым катодом Получение тонких пленок
3 Турбомолекулярные насосы — 2 шт. Вакуумирование разрядной камеры
4 Времяпролетный масс-спектрометр Измерение состава плазмы
5 Монопольный масс-спектрометр Измерение состава плазмы
6 Монохроматор — 2 шт. Измерение спектров излучения плазмы
7 Установка рентгеноструктурного анализа Структуный анализ пленок
8 Перестраиваемый лазер на красителях Измерение параметров плазмы методом лазерной флуоресценции
9 Устройство сбора данных Ввод данных с датчиков в компьютер
10 Профилометр Измерение толщины пленок
11 датчик SL-A0E48 (США) определение скорости напыления

Фото и схема установки магнетронного разряда с полым катодом.

На данных установках проводятся исследования и разработка технологии осаждения наноструктурных пленок с использованием ионизации распыленных атомов металла. В процессе осаждения пленки, приходящие на подложку ионы инертного или химически активного газов стимулируют процессы на поверхности, что позволяет получать пленки с высокими характеристиками (физическими, химическими, электрическими). На установке СВЧ-ЭЦР разряда можно получать пленки из ферромагнитных материалов.

Рис. 3

На Рис. 3 показан поперечный разрез межслойного отверстия со ступенькой на боковых поверхностях, так называемый «двойной узор», с осажденной пленкой меди. Ширина отверстия на дне 0,4 мкм, высота 1 мкм.

Рис. 4

На Рис. 4 показана фотография с электронного микроскопа заполнения канавок алюминием с поперечными размерами 0.8–1.0 мкм и глубиной 5 мкм. Данные структуры используются для управления транзисторами современных СБИС.